6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究
全部作者：林涛李佳李连碧李青民蒲红斌陈治明第1作者单位：西安理工大学电子工程系论文摘要：采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究...
SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析
全部作者：陈治明李连碧林涛蒲红斌李佳李青民第1作者单位：西安理工大学论文摘要：用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状生长特征，且...