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H+-ISFET的温度特性及补偿

H+-ISFET的温度特性及补偿

04-10
全部作者:许姗童敏明李雪花杨礼现第1作者单位:中国矿业大学信息与电气工程学院论文摘要:本文通过研究氢离子敏场效应传感器(H+-ISFET)的物理化学结构特性得到它的温度特性,总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺点,提...